Field-transistors (FETs) huma apparati kkontrollati b'vultaġġ-, filwaqt li transistors huma apparati kkontrollati-kurrent. L-FETs għandhom jintgħażlu meta ġibda żgħira ta' kurrent biss mis-sors tas-sinjal hija permissibbli; bil-maqlub, it-transistors għandhom jintgħażlu meta l-vultaġġ tas-sinjal ikun baxx iżda huwa permess ġibda akbar tal-kurrent. L-FETs imexxu bl-użu ta 'trasportaturi maġġoritarji, għalhekk jissejħu apparati unipolari, filwaqt li t-transistors imexxu bl-użu ta' trasportaturi maġġoritarji u minoritarji, għalhekk jissejħu apparati bipolari.
Xi FETs għandhom terminali interkambjabbli ta 'sors u drenaġġ, u l-vultaġġ tal-bieb tagħhom jista' jkun pożittiv jew negattiv, u joffri flessibilità akbar mit-transistors.
FETs jistgħu joperaw taħt kundizzjonijiet ta 'kurrent baxx ħafna u ta' vultaġġ baxx, u l-proċessi tal-manifattura tagħhom jippermettu integrazzjoni faċli ta 'ħafna FETs fuq ċippa waħda tas-silikon. Għalhekk, l-FETs jintużaw ħafna f'ċirkwiti integrati fuq skala kbira-.
